热线电话：主营：国际知名品牌的IC元件等电子元器件，广泛...
发布时间：2017-12-29 07:57:04
全新第二代650V SBD产品阵容／特点
| 封装 | 特点 （Ta=25℃） |
******大额定值 | 电气特性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 正向直流电流 | 非重复峰值正向浪涌电流 | 总功率耗散 | 正向电压 | 优值 | 结电容 | 总电容电荷 | ||
| 符号 | IF（DC） | IF*** | Ptot | VF | VF?QC | Cj | QC | |
| 值 | ***大值 | ***大值 | ***大值 | 典型值 ＆***大值 |
典型值 | 典型值 | 典型值 | |
| 单位 | （A） | （A） | （W） | （V） | （V?nC） | （pF） | （nC) | |
|
测试条件／ 器件型号 |
- | @半正弦波 t=10ms |
- | @IF（DC） | - | @VR=1V | @VR=400V | |
|
非- 绝缘型TO-220-2L |
TRS2E65F | 2 | 21 | 41.6 | 1.45 (典型值) 1.60 （***大值） |
8.4 | 85 | 5.8 |
| TRS3E65F | 3 | 27 | 48.3 | 11.7 | 120 | 8.1 | ||
| TRS4E65F | 4 | 39 | 55.6 | 15.1 | 165 | 10.4 | ||
| TRS6E65F | 6 | 55 | 68.2 | 21.9 | 230 | 15.1 | ||
| TRS8E65F | 8 | 69 | 83.3 | 28.6 | 300 | 19.7 | ||
| TRS10E65F | 10 | 83 | 107 | 35.4 | 400 | 24.4 | ||
| 绝缘型 TO-220F-2L |
TRS4A65F | 4 | 37 | 33.6 | 1.45 （典型值） 1.60 （***大值） |
15.1 | 165 | 10.4 |
| TRS6A65F | 6 | 52 | 35.4 | 21.9 | 230 | 15.1 | ||
| TRS8A65F | 8 | 65 | 37.5 | 28.6 | 300 | 19.7 | ||
| TRS10A65F | 10 | 79 | 39.7 | 35.4 | 400 | 24.4 | ||
| Surface mount DPAK TO-252 Equivalent |
TRS2P65F | 2 | 19 | 34.0 | 1.45 （典型值） 1.60 （***大值） |
8.4 | 85 | 5.8 |
| TRS3P65F | 3 | 26 | 37.5 | 11.7 | 120 | 8.1 | ||
| TRS4P65F | 4 | 33 | 41.0 | 15.1 | 165 | 10.4 | ||
| TRS6P65F | 6 | 45 | 48.3 | 21.9 | 230 | 15.1 | ||
| TRS8P65F | 8 | 58 | 55.5 | 28.6 | 300 | 19.7 | ||
| TRS10P65F | 10 | 70 | 62.5 | 35.4 | 400 | 24.4 |
由于客户关注的***大都转向环保、干净的能源，所以市场对于能够实现低损耗和***能源转换的功率器件的需求日益增长。碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体，它比硅（Si）的临界击穿电场高出8倍，所以有望成为下一代高电压、低损耗功率器件的制造材料。
Si基肖特基二极管（SBD）能提供的VRRM***多仅为200V，而东芝全新的SiC基SBD因其在高温区域具有较低的泄漏电流而能提供更高的反向电压（VRRM）。SiC肖特基二极管是服务器电源和太阳能调节器等功率转换应用的理想解决方案。在高电压和高电流条件下，SiC肖特基二极管比传统Si SBD的操作更加稳定。因此，SiC肖特基二极管有助于大幅降低热功率损耗。
| 特征 | Si | SiC（4H） |
|---|---|---|
| 禁带宽度 | 1.12eV | 3.26eV |
| 电子迁移率μ | 1400cm2／Vs | 1000cm2／Vs |
| 相对介电常数ε | 11.8 | 9.7 |
| 临界击穿电场E | 0.3MV／cm | 2.5MV／cm |
| 晶体管的性能极限 Ron?A（@600V） |
70mΩ?cm2 | 0.14mΩ?cm2 |
| 特点 | 易于提供 易于加工 价格便宜 |
易于降低导通电阻 高温下泄漏电流低 易于使用高耐受电压进行设计 |
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